Валюта:RUB
RUBUSDEURCNY
Язык:USRU
+7 929 433 4445 B2B Заявки на email

telemetrya@yandex.ru

0
Смотрели
Войти
0
Избранное
Товар добавлен в список избранных
0
Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0
Корзина
Товар добавлен в корзину!

Электронные компоненты Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) в магазине ООО «Телеметрия»

Все фильтры
Цена
Структура
статический коэффициент передачи тока h21э мин

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - 2322 

Дата добавления
Быстрый просмотр
IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC]
    590 ₽
    IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC]
    вес, г: 7.5
    Структура: n-канал+диод
    Артикул: IRG4PH40UDPBF
    В корзину
    Быстрый просмотр
    IRG4PH50UDPBF, Транзистор IGBT 1200В 45А 75кГц [ТО-247АС]
    740 ₽
    IRG4PH50UDPBF, Транзистор IGBT 1200В 45А 75кГц [ТО-247АС]
    вес, г: 7.5
    Структура: n-канал+диод
    Артикул: IRG4PH50UDPBF
    В корзину
    Быстрый просмотр
    IRG4PSC71UPBF, IGBT 600В 85А [Super247]
      740 ₽
      IRG4PSC71UPBF, IGBT 600В 85А [Super247]
      вес, г: 8
      Структура: n-канал
      Артикул: IRG4PSC71UPBF
      В корзину
      Быстрый просмотр
      IRG7PH42UPBF, IGBT 1200В 60А [TO-247AC],Транзистор
        440 ₽
        IRG7PH42UPBF, IGBT 1200В 60А [TO-247AC],Транзистор
        вес, г: 7.214
        Структура: n-канал
        Артикул: IRG7PH42UPBF
        В корзину
        Быстрый просмотр
        IRGB20B60PD1PBF, IGBT 600В 40А [TO-220AB]
          350 ₽
          IRGB20B60PD1PBF, IGBT 600В 40А [TO-220AB]
          вес, г: 2.5
          Структура: n-канал+диод
          Артикул: IRGB20B60PD1PBF
          В корзину
          Быстрый просмотр
          IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)
            1 500 ₽
            IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)
            вес, г: 8
            Структура: n-канал
            Артикул: IRGPS60B120KDP
            В корзину
            Быстрый просмотр
            IRGR4610DPBF, Транзистор, IGBTс диодом, N-канал, 600В, 16А [D-Pak]
              230 ₽
              IRGR4610DPBF, Транзистор, IGBTс диодом, N-канал, 600В, 16А [D-Pak]
              вес, г: 0.4
              Структура: n-канал+диод
              Артикул: IRGR4610DPBF
              В корзину
              Быстрый просмотр
              NGB18N40ACLBT4G, Транзистор, Ignition IGBT, 430В, 18А [D2-PAK]
                320 ₽
                NGB18N40ACLBT4G, Транзистор, Ignition IGBT, 430В, 18А [D2-PAK]
                вес, г: 2.5
                максимальная рассеиваемая мощность, вт: 115
                Артикул: NGB18N40ACLBT4G
                В корзину
                Быстрый просмотр
                SGB15N60HS (G15N60HS), IGBT N-CH 600V 27A [TO-263]
                  150 ₽
                  SGB15N60HS (G15N60HS), IGBT N-CH 600V 27A [TO-263]
                  вес, г: 2.5
                  Структура: n-канал
                  Артикул: SGB15N60HS (G15N60HS)
                  В корзину
                  Быстрый просмотр
                  SKW30N60HS, Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3] (=IKW30N60H
                    540 ₽
                    SKW30N60HS, Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3] (=IKW30N60H
                    вес, г: 7.5
                    Структура: n-канал+диод
                    Артикул: SKW30N60HS
                    В корзину
                    Быстрый просмотр
                    STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247]
                      480 ₽
                      STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247]
                      вес, г: 7.5
                      максимальная рассеиваемая мощность, вт: 140
                      Артикул: STGW19NC60HD
                      В корзину
                      Быстрый просмотр
                      FGA30S120P, Транзистор IGBT 1300V 60A 348W [TO-3P]
                        420 ₽
                        FGA30S120P, Транзистор IGBT 1300V 60A 348W [TO-3P]
                        вес, г: 6.5
                        Артикул: FGA30S120P
                        В корзину
                        Быстрый просмотр
                          10 110 ₽
                          FP40R12KE3, IGBT-модуль, 1200В, 40А
                          вес, г: 210.6
                          Артикул: FP40R12KE3
                          В корзину
                          Быстрый просмотр
                          GT30G122, Транзистор
                            430 ₽
                            GT30G122, Транзистор
                            вес, г: 3.5
                            Артикул: GT30G122
                            В корзину
                            Быстрый просмотр
                            IRG7PG42UDPBF, Транзистор, IGBT, 1000B, 45A(при Тс 100) [TO-247AC]
                              250 ₽
                              IRG7PG42UDPBF, Транзистор, IGBT, 1000B, 45A(при Тс 100) [TO-247AC]
                              Структура: n-канал+диод
                              крутизна характеристики, s: 32
                              Артикул: IRG7PG42UDPBF
                              В корзину
                              Быстрый просмотр
                              IRG7PH30K10DPBF, IGBT 1200В 30А 4-20кГЦ TO247AC
                                230 ₽
                                IRG7PH30K10DPBF, IGBT 1200В 30А 4-20кГЦ TO247AC
                                Структура: n-канал+диод
                                крутизна характеристики, s: 6.2
                                Артикул: IRG7PH30K10DPBF
                                В корзину
                                Быстрый просмотр
                                IRGP4078DPBF, Транзистор IGBT 600В 50А TO-247
                                  140 ₽
                                  IRGP4078DPBF, Транзистор IGBT 600В 50А TO-247
                                  Структура: n-канал+диод
                                  крутизна характеристики, s: 26
                                  Артикул: IRGP4078DPBF
                                  В корзину
                                  Быстрый просмотр
                                  IRGP4266DPBF, Транзистор IGBT, N-канал 650В 140А [TO-247AC]
                                    250 ₽
                                    IRGP4266DPBF, Транзистор IGBT, N-канал 650В 140А [TO-247AC]
                                    максимальная рассеиваемая мощность, вт: 455
                                    рабочая температура (tj), °c: -40…+175
                                    Артикул: IRGP4266DPBF
                                    В корзину
                                    Быстрый просмотр
                                    IRGP4690DPBF, Транзистор, IGBT, 600B, 140A, TO-247-3
                                      280 ₽
                                      IRGP4690DPBF, Транзистор, IGBT, 600B, 140A, TO-247-3
                                      Структура: n-канал+диод
                                      крутизна характеристики, s: 50
                                      Артикул: IRGP4690DPBF
                                      В корзину
                                      Быстрый просмотр
                                      IRGS4064DPBF, Транзистор IGBT 600В 10А 8-30кГц D2Pak
                                        100 ₽
                                        IRGS4064DPBF, Транзистор IGBT 600В 10А 8-30кГц D2Pak
                                        Структура: n-канал+диод
                                        крутизна характеристики, s: 6.9
                                        Артикул: IRGS4064DPBF
                                        В корзину
                                        Быстрый просмотр
                                        PST529DMT-R, Формирователь импульса, элемент функции сброса (RESET) [MMP-3A]
                                          65 ₽
                                          PST529DMT-R, Формирователь импульса, элемент функции сброса (RESET) [MMP-3A]
                                          вес, г: 0.2
                                          Артикул: PST529DMT-R
                                          В корзину
                                          Быстрый просмотр
                                            18 710 ₽
                                            FP25R12KT3BPSA1
                                            В корзину
                                            Быстрый просмотр
                                            FS75R07W2E3B11ABOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 95 А, 1.45 В, 275
                                              8 340 ₽
                                              FS75R07W2E3B11ABOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 95 А, 1.45 В, 275
                                              вес, г: 10
                                              moisture sensitivity level (msl): 1 (Unlimited)
                                              package: Tray
                                              Артикул: FS75R07W2E3B11ABOMA1
                                              В корзину
                                              Быстрый просмотр
                                              FP10R12W1T4PB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 10 А, 1.8
                                                5 820 ₽
                                                FP10R12W1T4PB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 10 А, 1.8
                                                вес, г: 0.36
                                                категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
                                                подкатегория: IGBTs
                                                Артикул: FP10R12W1T4PB11BPSA1
                                                В корзину
                                                Быстрый просмотр
                                                  6 180 ₽
                                                  FB30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM, 39 А, 1.55 В, 115 Вт, 150 °C, Module
                                                  вес, г: 1
                                                  Артикул: FB30R06W1E3BOMA1
                                                  В корзину
                                                  Быстрый просмотр
                                                    13 840 ₽
                                                    FF300R08W2P2B11ABOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 200 А, 1 В, 150 °C, Module
                                                    вес, г: 400
                                                    Артикул: FF300R08W2P2B11ABOMA1
                                                    В корзину
                                                    Быстрый просмотр
                                                    FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150
                                                      16 900 ₽
                                                      FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150
                                                      вес, г: 0.1
                                                      moisture sensitivity level (msl): 1 (Unlimited)
                                                      mounting type: Chassis Mount
                                                      Артикул: FF200R06KE3HOSA1
                                                      В корзину
                                                      Быстрый просмотр
                                                        39 410 ₽
                                                        FF600R12ME7B11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 600 А, 1.5 В, 175 °C, Module
                                                        вес, г: 20
                                                        Артикул: FF600R12ME7B11BPSA1
                                                        В корзину
                                                        Быстрый просмотр
                                                          27 190 ₽
                                                          TDB6HK180N16RRB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 140 А, 1.75 В, 515 Вт, 175
                                                          вес, г: 2
                                                          Артикул: TDB6HK180N16RRB11BPSA1
                                                          В корзину
                                                          Быстрый просмотр
                                                            112 000 ₽
                                                            FS300R12OE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 460 А, 1.75 В, 1.65 кВ
                                                            вес, г: 250
                                                            Артикул: FS300R12OE4BOSA1
                                                            В корзину
                                                            Показывать по
                                                            Loading...
                                                            Меню
                                                            0Корзина
                                                            Товар добавлен в корзину!
                                                            0Сравнение
                                                            Товар добавлен в список сравнения
                                                            0Избранное
                                                            Товар добавлен в список избранных
                                                            Фильтр
                                                            Профиль