FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150
В избранноеВ сравнение
![FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150](/wa-data/public/shop/products/26/14/141426/images/231214/231214.970.jpg "FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150")
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Модуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 600V 260A 680W Модуль для монтажа на шасси
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![FDN337N, Транзистор N-канал 30В 2.2А [SOT-23-3]](/wa-data/public/shop/products/89/18/191889/images/226603/226603.300x0.jpg "FDN337N, Транзистор N-канал 30В 2.2А [SOT-23-3]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
