SKW30N60HS, Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3] (=IKW30N60H

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SKW30N60HS
SKW30N60HS, Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3] (=IKW30N60H
Основные
вес, г7.5
Вес и габариты
Структураn-канал+диод
крутизна характеристики, s20
540
+
Бонус: 10.8 !
Бонусная программа
Итого: 540
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
вес, г7.5
Вес и габариты
Структураn-канал+диод
крутизна характеристики, s20
максимальная рассеиваемая мощность, вт250
рабочая температура (tj), °c-55…+150
технология/семействоnpt
наличие встроенного диодада
максимальное напряжение кэ ,в600
максимальный ток кэ при 25°c, a41
импульсный ток коллектора (icm), а112
напряжение насыщения при номинальном токе, в3.15
время задержки включения (td(on)) при при 25°c, нс20
время задержки выключения (td(off)) при при 25°c, нс250
управляющее напряжение,в4
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль