- Главная →
- Электронные компоненты →
- Транзисторы →
- Электронные компоненты Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) в магазине ООО «Телеметрия»
Электронные компоненты Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) в магазине ООО «Телеметрия»
Все фильтры
Цена
Структура
статический коэффициент передачи тока h21э мин
Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - 2322
Показывать по











![FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150 FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150](/wa-data/public/shop/products/81/96/139681/images/174995/174995.300x0.jpg)


