FS100R17N3E4_B11
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![IRLL014TRPBF, Транзистор N-CH 60V 2.7A [SOT-223]](/wa-data/public/shop/products/49/34/193449/images/228427/228427.300x0.jpg "IRLL014TRPBF, Транзистор N-CH 60V 2.7A [SOT-223]")
![SI2318A, Транзистор N-MOSFET 40В 5.6А [SOT-23-3]](/wa-data/public/shop/products/50/33/203350/images/236560/236560.300x0.jpg "SI2318A, Транзистор N-MOSFET 40В 5.6А [SOT-23-3]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
