Транзистор BCX53-16.115
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCX53-16.115
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
2522 ТранзисторыБиполярные транзисторы - BJT PNP MED 1A 80V
| Основные | |
| вес, г | 0.1 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-243AA |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| подкатегория | Transistors |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| упаковка | Reel |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0075 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | SOT-89 |
| длина | 4.6 mm |
| pd - рассеивание мощности | 1300 mW |
| другие названия товара № | BCX53-16 T/R |
| диапазон рабочих температур | -65…+150 С |
| base product number | BCX53 -> |
| Вес и габариты | |
| конфигурация | Single |
| способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| pd - power dissipation | 1.3W |
| мощность | рассеиваемая коллектора(Pк max)-1300 мВт |
| назначение | универсальное, квалификация-AEC-Q101 |
| описание | 80 V, 1 A PNP medium power transistors |
| чувствительность | к влажности MSL1 |
| максимальный ток | коллектора(Iк max)-1 А |
| полярность транзистора | PNP |
| transistor type | PNP |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| current - collector (ic) (max) | 1A |
| power - max | 1.3W |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 80V |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| collector-emitter breakdown voltage | 80V |
| maximum dc collector current | 1A |
| коэффициент усиления | hfe max-200(при 2 мА, 5 В) |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 145 MHz |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 150mA, 2V |
| frequency - transition | 145MHz |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Корпус | |
| Высота | 1.6 мм |
| Ширина | 2.6 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
