Компания NoMIS Power из Олбани показала первый крупный кристалл SiC MOSFET на 6,5 кВ. Прибор выдержал блокировку свыше 8 кВ, сопротивление открытого канала составило 90 мОм, ток стока — 55 А. Это расширяет уже освоенную планарную платформу 3,3 кВ в высоковольтный класс.
Линейка 3,3 кВ уже выпускается серийно: варианты 80, 50 и 25 мОм в корпусе TO-247-4L-HC и в виде кристалла. Для 6,5 кВ компания начала отгрузку образцов американским заказчикам и готовит семейство с разными сопротивлениями, малыми кристаллами, гибридными JBSFET и отдельными диодами. Серийные высоковольтные транзисторы 6,5 кВ запланированы на IV квартал 2026 года.
Конструкция JBSFET снижает деградацию встроенного диода, что важно для жёстких режимов коммутации. Целевые применения — HVDC, твердотельные трансформаторы, импульсная техника, тяга и зарядка электромобилей мегаваттного класса. Далее по дорожной карте — MOSFET на 10 кВ и SiC IGBT до 20 кВ.
Для закупщиков силовой электроники это сигнал расширять список квалифицируемых поставщиков SiC и заранее проверять корпуса, тепловой путь, ресурс тела диода и совместимость с существующими драйверами затвора. Отечественные проекты по сетям, зарядной инфраструктуре и промышленным преобразователям выигрывают, если альтернатива не сводится к одному зарубежному источнику.
При выборе аналога важно сверять напряжение, ток, сопротивление канала и график серийности, а не только заявленный класс 6,5 кВ. Для подбора компонентной базы смотрите раздел «Полевые транзисторы FET/MOSFET» каталога ООО «Телеметрия».
