В домашней полупроводниковой лаборатории изготовили действующий GaN-светодиод из эпитаксиальной структуры на сапфире. Исходная пластина включала слои n-GaN и p-GaN, между которыми находилась квантовая яма InGaN, формирующая синее излучение.
Для доступа к n-слою вместо промышленного хлорного реактивно-ионного травления применили УФ-лазер 355 нм, разлагающий нитрид галлия, а область реза очистили раствором KOH. Контакты Ni/Ag/Ti сформировали через фоторезистивную маску, магнетронное распыление и lift-off.
После проверки свечения заготовку разделили лазером на отдельные кристаллы. На печатной плате электроосаждением сформировали индиевые микровыводы, совместили с ними прозрачный LED-кристалл и выполнили пайку оплавлением с канифольным флюсом.
Синий кристалл также превратили в источник белого света: сверху нанесли смесь силикона с люминофором YAG:Ce, который добавил жёлтую составляющую. Эксперимент показывает доступный маршрут прототипирования оптоэлектроники, но не заменяет промышленный контроль чистоты, выхода годных и надёжности корпуса.
Для подбора серийных излучателей и сравнения электрических и оптических параметров смотрите раздел Светодиоды видимого спектра в каталоге ООО «Телеметрия».
