- Главная →
- Электронные компоненты →
- Транзисторы →
- Электронные компоненты Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) в магазине ООО «Телеметрия»
Электронные компоненты Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) в магазине ООО «Телеметрия»
Все фильтры
Цена
Структура
статический коэффициент передачи тока h21э мин
Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - 2322
Показывать по






![DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C, DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C,](/wa-data/public/shop/products/33/56/195633/images/230478/230478.300x0.jpg)

![FS150R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 150 А, 1.75 В, 680 Вт, FS150R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 150 А, 1.75 В, 680 Вт,](/wa-data/public/shop/products/07/57/195707/images/230548/230548.300x0.jpg)


