IHW15N120E1XKSA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.5 В, 156 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IHW15N120E1XKSA1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Основные
вес, г25
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
470
+
Бонус: 9.4 !
Бонусная программа
Итого: 470
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Основные
вес, г25
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияIGBT RC Soft Switching
pin count3
packagingTube
pd - рассеивание мощности156 W
другие названия товара №IHW15N120E1 SP001391908
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)150
mountingThrough Hole
part statusActive
pcb changed3
ppapNo
standard package nameTO-247
supplier packageTO-247
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)156000
minimum operating temperature (°c)-40
configurationSingle
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeN
technologyTrench Stop
tabTab
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c30 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.30 A
maximum collector-emitter voltage (v)1200
maximum continuous collector current (a)30
maximum gate emitter leakage current (ua)0.1
maximum gate emitter voltage (v)±20
typical collector emitter saturation voltage (v)1.5
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль