TSMC опережает график строительства фабрики стоимостью $49 млрд в Центральном научном парке Тайваня в Тайчжуне. Площадка предназначена для выпуска микросхем по 1,4-нм техпроцессу; строительные работы начались в ноябре 2025 года.
Первый кремний на новой линии может быть получен в апреле 2027 года, а пробный выпуск запланирован на третий квартал 2027-го. Если квалификация пройдёт успешно, серийное производство может стартовать к середине 2028 года — раньше ориентиров конкурирующих проектов сопоставимого класса.
Техпроцесс будет использовать второе поколение транзисторов GAA, но не потребует новейших установок High-NA EUV. Такой маршрут показывает, что дальнейшее масштабирование производства микросхем зависит не только от литографии, но и от интеграции материалов, масок, метрологии и технологического контроля.
Intel рассчитывает начать риск-производство собственного 1,4-нм процесса во второй половине 2027 года, Samsung ориентируется на 2029 год. Для разработчиков AI-ускорителей и сложных SoC ускорение проекта TSMC означает более раннее окно для передовых полупроводников, но сроки серийной доступности всё ещё зависят от выхода годных и квалификации линии.
Для подбора вычислительных и управляющих компонентов смотрите раздел Микропроцессорные схемы в каталоге ООО «Телеметрия».
