Исследователи UCLA Samueli и Аргоннской национальной лаборатории получили монокристаллическую металлическую θ-фазу нитрида тантала (θ-TaN). При комнатной температуре материал показал теплопроводность около 1100 Вт/(м·К) — почти втрое выше показателя меди.
Результат важен для микроэлектроники, потому что рост плотности мощности всё сильнее ограничивается отводом тепла от активного кристалла. Упорядоченная структура θ-TaN поддерживает необычно эффективный перенос тепла и сохраняет высокий уровень теплопроводности при повышенной температуре.
В перспективе материал можно рассматривать как тонкий теплораспределяющий слой рядом с горячими точками процессоров, силовых приборов и AI-ускорителей. Это способно снизить тепловое сопротивление корпуса, но пока речь идёт о лабораторном образце, а не о готовой серийной технологии охлаждения чипов.
Для промышленного внедрения предстоит проверить масштабируемость получения θ-TaN, стабильность метастабильной фазы, адгезию, коэффициент теплового расширения и контактное сопротивление на границах материалов. Инженерам по корпусированию важно оценивать весь тепловой тракт, поскольку рекордная теплопроводность одного слоя не устраняет потери в интерфейсах и подложке.
Для контроля теплового режима электронных узлов смотрите раздел «Датчики температуры» в каталоге ООО «Телеметрия».
