Исследователи показали фотопрограммируемые 2D-полупроводники на основе сантиметровых монослоёв WS2 и WSe2 с покрытием из молекул азобензола. Свет меняет конфигурацию молекул и создаёт обратимый межфазный диполь, который работает как оптический затвор для тонкого полупроводникового слоя.
Ультрафиолетовое излучение около 365 нм переводит азобензол из trans- в cis-состояние, а синий свет около 450 нм возвращает исходную конфигурацию. Такой цикл позволяет управлять плотностью электронов и дырок примерно на 2,5×10¹² см⁻² без изменения структуры самого кристалла.
Эксперимент охватил массив из 60 полевых транзисторов, а пространственное освещение позволило формировать участки с разными оптоэлектронными свойствами с размером деталей до 70 мкм. Авторы подчёркивают повторяемость переключения и однородность эффекта на большой площади.
Пока это лабораторная платформа, а не готовый коммерческий компонент. Однако подход показывает путь к реконфигурируемой оптоэлектронике, программируемым сенсорам и схемам, параметры которых можно менять светом уже после изготовления.
Для подбора дискретных полупроводниковых приборов смотрите раздел «Полевые транзисторы FET/MOSFET» в каталоге ООО «Телеметрия».
