GaN-эпитаксия становится ближе к серийному производству: ROHM выбрала систему Aixtron G10-GaN для собственного участка роста эпитаксиальных структур на заводе в Хамамацу. Речь идёт о 8-дюймовых GaN-on-Si пластинах для будущих силовых приборов на 650 В и 100 В.
Для рынка силовой электроники такой шаг важен не только как расширение мощностей, но и как попытка лучше контролировать критический этап производства. Собственная MOCVD-линия помогает производителю управлять качеством эпитаксии, повторяемостью параметров и сроками вывода GaN-компонентов.
В практических проектах GaN конкурирует с кремниевыми MOSFET и SiC-решениями там, где нужны высокая частота переключения, компактность и снижение потерь. Поэтому новости о GaN-on-Si пластинах напрямую связаны с доступностью DC-DC, зарядных устройств, промышленных источников питания и приводной электроники.
Инженерным и закупочным командам стоит отслеживать не только анонсы отдельных микросхем, но и производственную базу: MOCVD, диаметр пластин, стабильность поставок и квалификацию техпроцесса. Эти факторы влияют на цену, сроки и риск замены компонентов в серийных изделиях.
Для подбора компонентной базы на складе и под заказ смотрите раздел Транзисторы полевые FETs/MOSFETs в каталоге ООО «Телеметрия».
