Renesas Electronics представила, как заявляется, первый в отрасли 650-вольтовый GaN-транзистор с двусторонним охлаждением — TP65H020G4PLSGBD. Прибор в сверхкомпактном корпусе DSC PQFN 8×8 мм обеспечивает сопротивление открытого канала 20 мОм и рассчитан на плотное преобразование энергии в 800-вольтовых HVDC-архитектурах ИИ-дата-центров мегаваттного масштаба. Устройство уже поставляется ведущим OEM и ODM.
Ключевая идея корпуса — отвод тепла одновременно с верхней и нижней сторон: тепловое сопротивление по верхней стороне снижено на 10%, а площадь посадки на 57% меньше, чем у корпуса TOLT 10×15 мм. Это позволяет наращивать мощность стойки — от ~120 кВт к мегаватту — без расширения платы и добавления охлаждающего оборудования. Прибор построен на архитектуре Gen IV Plus: малые заряды затвора и выходная ёмкость, встроенный диод с минимальным обратным восстановлением и высокое напряжение отсечки, что допускает управление от стандартного кремниевого драйвера и работу в МГц-диапазоне для уменьшения пассивных компонентов и стоимости BOM.
Целевые применения: ступень 800 В → 48/12/6 В промежуточного преобразователя шины (IBC), а также батарейные модули резерва (BBU) и конденсаторные блоки (CBU) в sidecar-стойке питания. Референс-дизайн — 6-кВт LLC DC-трансформатор 800→48 В на контроллере RA6T3 — показал плотность 2,6 кВт/дюйм³ и КПД при полной нагрузке на 0,21% выше аналога на TOLT. Решение позиционируется как часть связки «единый поставщик» с контроллерами, драйверами и MCU.
Для инженеров это практичный сигнал: двустороннеохлаждаемые GaN-ключи позволяют ужать плату промежуточной шины при росте мощности стойки. Подбор ключей и смежных силовых компонентов удобно начинать с раздела Полевые транзисторы FET/MOSFET — там собраны MOSFET и GaN-транзисторы для мостовых и LLC-схем.
