PVA TePla и Fraunhofer IISB объединили оборудование и технологические компетенции в совместной лаборатории по выпуску монокристаллических подложек из нитрида алюминия. Проект начинает с малых серий 2-дюймовых AlN-кристаллов для исследований и опытно-конструкторских работ.
В основе производства лежит метод физического переноса из паровой фазы: порошок AlN испаряется в тигле при температуре выше 2000 °C и осаждается на затравочный кристалл. Установки PVA TePla, применяемые для выращивания 8-дюймовых кристаллов SiC, адаптированы под стабильное получение 2-дюймовых AlN-заготовок.
Нитрид алюминия относится к сверхширокозонным полупроводниковым материалам и рассматривается для силовой электроники, ВЧ-устройств, фотоники и аппаратуры, работающей в экстремальных условиях. Расширение доступности качественных AlN-подложек может ускорить переход таких разработок от лабораторных образцов к промышленным изделиям.
Партнёры планируют повышать воспроизводимость, выход годных и экономичность процесса, а затем перейти к подложкам диаметром 4 и 6 дюймов. Для разработчиков и закупщиков это означает формирование европейской цепочки поставок AlN-подложек и новой компонентной базы для высокопроизводительной электроники.
Для подбора компонентов на широкозонных материалах смотрите раздел Диоды в каталоге ООО «Телеметрия».
