CEA-Leti показала гибридное соединение die-to-wafer с шагом 1 мкм

1 июня 202621:01

CEA-Leti показала гибридное соединение die-to-wafer с шагом 1 мкм

CEA-Leti представила гибридное соединение die-to-wafer с шагом 1 мкм. Такие технологии важны для advanced packaging, chiplet-подходов и повышения плотности межсоединений.

Уменьшение шага соединений помогает объединять кристаллы, память и функциональные блоки в более компактные и производительные модули.

Для разработчиков аппаратуры это сигнал к внимательному отслеживанию технологий корпусирования, подложек, материалов и контроля качества при производстве сложных микросборок.

Для подбора компонентной базы на складе и под заказ смотрите раздел Микросхемы в каталоге ООО «Телеметрия».

Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль