Power Integrations представила новое поколение фирменной технологии PowiGaN, рассчитанное на напряжение до 2200 В. Предыдущая максимальная величина для интегральных решений компании составляла 1700 В, поэтому обновление расширяет область применения нитрида галлия в высоковольтной силовой электронике.
В интегральных обратноходовых преобразователях PowiGaN силовой GaN-ключ заменяет первичный кремниевый MOSFET. Снижение потерь переключения позволяет уменьшать размеры и массу зарядных устройств, адаптеров и открытых источников питания, одновременно повышая энергоэффективность.
Напряжение 2200 В создаёт запас для одноступенчатых топологий и перспективных шин 1500 В. Среди целевых направлений названы питание AI-дата-центров с архитектурой 800 VDC, электромобили, фотоэлектрические инверторы, системы накопления энергии и высоковольтные линии постоянного тока.
Разработку первых продуктов на новой платформе Power Integrations планирует начать в 2027 году, а общую доступность — к концу 2028 года. Для инженеров это пока не серийная позиция, а ориентир по развитию GaN-компонентов и будущей конкуренции с SiC в высоковольтных преобразователях.
Для подбора силовых ключей и аналогов смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET в каталоге «Телеметрии».
