Аналитическое агентство IDTechEx опубликовало прогноз развития рынка силовой электроники: объём отрасли вырастет с $25,5 млрд в 2026 году до $65,2 млрд к 2036 году при среднегодовом темпе роста CAGR 10%. Основными драйверами станут массовое внедрение широкозонных полупроводников — карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN) — в электротранспорте, возобновляемой энергетике и инфраструктуре AI-дата-центров.
Кремний оставался доминирующим материалом силовой электроники с 1950-х годов, однако ограничения по напряжению, частоте и тепловыделению стимулируют переход на SiC MOSFET и GaN HEMT. Эти компоненты обеспечивают КПД выше 97% при плотности мощности в 2–3 раза выше кремниевых аналогов, что критично для бортовых зарядных устройств электромобилей, солнечных инверторов и серверных блоков питания нового поколения.
Для B2B-заказчиков ключевой практический вопрос — доступность и сроки поставки SiC- и GaN-компонентов в корпусах TO-247, D2PAK и дискретных модулях. Ведущие производители — Infineon, Wolfspeed, onsemi, ROHM, STMicroelectronics — наращивают产能, однако дефицит 150–200-мм SiC-подложек сохраняет давление на сроки. Планирование закупок с горизонтом 6–12 месяцев становится стандартом для промышленных проектов.
Сегмент DC-DC преобразователей и оценочных плат для силовой электроники демонстрирует наибольший рост: разработчики активно тестируют топологии на SiC/GaN перед серийным внедрением. Для подбора компонентов и оценочных плат смотрите раздел стабилизаторы напряжения и тока в каталоге ООО «Телеметрия».
