Polar Semiconductor (Блумингтон, Миннесота, США — единственная принадлежащая американскому владельцу фабрика, специализирующаяся на высоковольтных, силовых и сенсорных полупроводниках) и IC-Link by imec (дизайн и производство при наноэлектронном исследовательском центре imec в Лёвене, Бельгия) договорились о сотрудничестве: 8-дюймовое (200 мм) производство приборов на основе усиленно-нормально открытой (e-mode) арсенид-галлиевой альтернативы — нитрида галлия — выйдет на промышленные объёмы. Речь идёт об e-mode GaN транзисторах для ИИ-дата-центров, автомобильной и авиакосмической электроники, систем обороны и промышленных энергосетей.
Для инженеров и закупщиков это практический сигнал по широкозонной силовой электронике: 8-дюймовая пластина даёт больше кристаллов на пластину и потенциально более предсказуемую стоимость GaN-компонентов по сравнению с 6-дюймовыми линиями. Квалификация новой фабрики расширит вторые источники поставки — это важно для долгосрочных BOM и проектов с высокими требованиями к надёжности цепочки поставок.
Партнёрство ориентировано на рынки, где GaN силовая электроника выигрывает у кремния: высокая плотность мощности, КПД преобразования и рабочие частоты. Для российских команд это повод заранее оценить, где e-mode GaN приборы могут заменить кремниевые MOSFET и суперджанкшн-решения в новых разработках — от серверных блоков питания до тяговых преобразователей.
Пока производство выходит на объёмы, доступность конкретных позиций стоит проверять по складу и под заказ: сроки, корпуса (TO-247, DFN и другие), температурные диапазоны и аналоги по параметрам. Новости о расширении 8-дюймовых GaN мощностей традиционно подтягивают и смежные направления — SiC MOSFET, драйверы и DC-DC преобразователи.
Для подбора компонентной базы смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET в каталоге ООО «Телеметрия».
