Мюнхенский суд поддержал Infineon в патентном споре по технологии GaN и запретил импорт, продажу и маркетинг спорных продуктов Innoscience в Германии.
Речь идёт о силовых GaN-on-silicon микросхемах, которые применяются в компактных преобразователях питания, зарядной инфраструктуре, серверных источниках и промышленной электронике с высокой плотностью мощности.
Для B2B-заказчиков такие решения суда важны не только юридически: они могут влиять на доступность конкретных GaN-компонентов, сроки поставки, выбор аналогов и устойчивость проектных BOM.
Инженерам и закупщикам стоит заранее проверять вторые источники, корпус, тепловой режим, допустимое напряжение и совместимость драйверов затвора, особенно если проект зависит от узкой линейки силовых полупроводников.
Для подбора компонентной базы под силовые узлы смотрите раздел Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) в каталоге ООО «Телеметрия».
