Micron Technology объявила о создании Micron Research Labs — долгосрочного исследовательского центра с планируемыми инвестициями $10 млрд в течение следующего десятилетия. Штаб-квартира организации разместится в Бойсе, штат Айдахо, а строительство главного лабораторного комплекса ожидается с 2027 года.
Программа рассчитана на исследования за пределами текущих продуктовых дорожных карт. В фокусе — новые технологии памяти, совместные архитектуры памяти и вычислений, передовое корпусирование и будущие методы производства полупроводников; горизонт проектов превысит десять лет.
Рост моделей ИИ и производительности ускорителей повышает требования к пропускной способности, ёмкости и энергопотреблению памяти. Поэтому работы над DRAM, системами класса HBM и интеграцией memory-and-compute становятся важной частью развития масштабируемой AI-инфраструктуры, хотя конкретные продукты в рамках новой программы пока не названы.
Исследователи в Бойсе будут связаны с подразделениями Micron в США, Европе, Японии, Индии, Сингапуре и Тайване. Компания планирует сотрудничать с университетами, стартапами, заказчиками и производителями оборудования, чтобы переводить фундаментальные разработки в коммерческие технологии памяти и корпусирования.
Для разработчиков электроники инициатива указывает на долгосрочное усиление инвестиций в высокопроизводительную память и компонентную базу для ИИ. Для подбора DRAM, SRAM, Flash и других решений смотрите раздел «Микросхемы памяти» в каталоге ООО «Телеметрия».
