Kioxia BiCS10 перешла к производству десятого поколения 3D NAND на фабрике Kitakami: компания уже семплирует 332-слойную микросхему NAND Flash ёмкостью 2 Тбит. Для рынка памяти NAND это важный шаг в сторону более плотных и энергоэффективных накопителей.
В новом процессе используется CBA-подход — CMOS directly Bonded to Array, который помогает оптимизировать размер кристалла и энергопотребление. По данным публикации, плотность битов выросла на 59% относительно BiCS9, а интерфейс NAND достигает 4,8 Гбит/с.
Главный практический эффект — снижение энергии чтения до 29% относительно BiCS8 и уменьшение суммарного потребления. Такие микросхемы памяти особенно интересны для enterprise SSD в AI-дата-центрах и облачных хранилищах, где плотность и ватт на терабайт напрямую влияют на стоимость эксплуатации.
Для производителей серверов, СХД и промышленных систем новость означает очередной виток требований к совместимости контроллеров, тепловому режиму и доступности компонентов. При планировании BOM стоит заранее оценивать сроки поставки NAND Flash, альтернативные корпуса и квалификацию под конкретные SSD-платформы.
Внутренняя ссылка: для подбора компонентной базы и микросхем хранения данных смотрите раздел Микросхемы памяти в каталоге ООО «Телеметрия».
