Innolume заказала производственную систему молекулярно-лучевой эпитаксии Veeco GEN2000, чтобы нарастить выпуск квантово-точечных лазерных диодов на арсениде галлия (GaAs). Компоненты рассчитаны на оптические трансиверы нового поколения, silicon photonics и высокоплотные межсоединения для AI- и облачных дата-центров.
Квантово-точечные лазеры привлекают разработчиков узкой спектральной линией, низким пороговым током, температурной стабильностью и меньшим энергопотреблением. Эти свойства особенно важны для co-packaged optics (CPO), где лазерный источник работает рядом с горячими вычислительными кристаллами и должен сохранять надёжность.
GEN2000 должна увеличить пропускную способность эпитаксиального производства и снизить себестоимость. Параллельно Innolume внедряет систему ионно-лучевого осаждения Veeco Spector для антиотражающих и высокоотражающих покрытий граней, замыкая больше операций изготовления фотонных компонентов внутри компании.
Для рынка это сигнал о переходе оптических трансиверов и CPO к серийному масштабу: по прогнозу LightCounting, продажи трансиверов с такими лазерами могут приблизиться к 80 млрд долларов к 2031 году. Для закупщиков будут важны производственная ёмкость, квалификация GaAs-процессов и доступность совместимых корпусных решений.
Для подбора излучающих компонентов и аналогов смотрите раздел Лазерные излучатели в каталоге ООО «Телеметрия».
