Компания EPC начала серийный выпуск EPC2370 — силового транзистора eGaN с рабочим напряжением 18 В и допустимым кратковременным уровнем 22 В. Новинка рассчитана на высокотоковые каскады питания AI-серверов и может заменить кремниевые MOSFET с номиналом до 25 В там, где важны минимальные потери проводимости и высокая плотность мощности.
Транзистор выполнен на седьмом поколении GaN-платформы EPC и рассчитан на непрерывный ток до 101 А. Типичное сопротивление открытого канала составляет 0,28 мОм, заряд затвора — 26 нКл; корпус PQFN размером 3,3×3,3 мм допускает двухсторонний теплоотвод и помогает сократить габариты силового каскада и магнитных компонентов.
Основное применение — синхронное выпрямление в преобразователях 48→6 В и 800→6 В с частотой около 1 МГц. По данным производителя, в высокоплотных модулях достижимы пиковая эффективность до 98% и около 97% при полной нагрузке; помимо AI-инфраструктуры, решение ориентировано на HPC, телекоммуникационное и промышленное оборудование.
Для ускорения разработки предложена плата EPC90168 размером 2×2 дюйма: два EPC2370 образуют полумост, а тестовые точки позволяют оценивать формы сигналов и КПД. Для инженеров это готовая отправная точка при проверке низковольтных высокотоковых DC-DC каскадов и теплового режима компактного источника питания.
Для подбора силовых ключей по напряжению, сопротивлению канала и корпусу смотрите раздел «Полевые транзисторы FET/MOSFET» в каталоге ООО «Телеметрия».
