Исследователи из Китая продемонстрировали электрохимическое отделение GaN HEMT — перенос тонкой структуры AlGaN/GaN с кремниевой подложки без механического шлифования. Метод рассчитан на сохранение целостности гетероструктуры и параметров normally-off транзисторов с p-GaN-затвором.
Во время процесса приборы защищали слоем фоторезиста толщиной 6 мкм и использовали как анод; платина служила катодом, а травление шло в азотной кислоте при напряжении около 8 В. Образцы размером 1×1 см отделялись примерно за 25 минут: меньшая скорость повреждала защиту, а слишком интенсивная реакция создавала пузырьки, напряжения и риск растрескивания плёнки.
После разделения среднеквадратичная шероховатость поверхностей составила около 1,9 нм для HEMT-плёнки и 1,1 нм для кремния, что потенциально позволяет повторно использовать донорную подложку. Снятие слоя также ослабило сжимающее напряжение примерно на 71,4 МПа; мембрану перенесли на сапфир через УФ-отверждаемый клей, который можно заменить гибким полиимидом.
Перенос пока требует тепловой оптимизации: максимальный ток стока снизился на 20,1%, а максимальная крутизна — на 32,5% из-за самонагрева на менее теплопроводной подложке и клеевом слое. Разработчики предлагают уменьшать тепловое сопротивление и добавлять наполнители BN или Al₂O₃; целевые области — гибкая RF-электроника, беспроводные системы, носимые датчики и криволинейные дисплеи.
Для подбора транзисторных компонентов по электрическим параметрам и корпусу смотрите раздел «Полевые транзисторы FET/MOSFET» в каталоге ООО «Телеметрия».
