Французский исследовательский институт CEA-Leti (Гренобль) представил дорожную карту развития энергонезависимой памяти нового поколения, способной дополнить и частично заменить традиционные SRAM и DRAM в системах искусственного интеллекта. По словам Франсуа Андриё, руководителя направления памяти CEA-Leti, растущие требования AI-нагрузки к пропускной способности и энергоэффективности делают классическую архитектуру «процессор + внешняя DRAM» узким местом.
Среди перспективных технологий — MRAM (магниторезистивная память), ReRAM (резистивная память), PCM (фазопереходная память) и FeRAM (сегнетоэлектрическая память). Каждая из них обеспечивает энергонезависимое хранение данных, высокую скорость записи и возможность интеграции непосредственно в логический кристалл (embedded memory), что сокращает задержки передачи данных между вычислительными ядрами и хранилищем.
Для B2B-заказчиков и инженеров-разработчиков переход к встроенной энергонезависимой памяти означает необходимость пересмотра подходов к проектированию: выбор между внешней DRAM/NAND и интегрированной MRAM/ReRAM влияет на топологию кристалла, тепловые режимы, стоимость маски и сроки вывода изделия на рынок. Уже сегодня ряд производителей микроконтроллеров предлагает чипы со встроенной MRAM для промышленных и автомобильных приложений.
Российским компаниям, разрабатывающим электронные компоненты для встраиваемых и промышленных систем, полезно отслеживать прогресс альтернативных типов памяти: это позволяет заранее планировать BOM, оценивать доступность и сроки поставки новых типов микросхем памяти, а также учитывать требования к EDA-инструментам для проектирования с embedded-памятью.
Для подбора микросхем памяти — SRAM, DRAM, Flash, EEPROM и специализированных решений — смотрите раздел Микросхемы памяти в каталоге ООО «Телеметрия».
