ROHM сообщила, что её силовые кристаллы на карбиде кремния применяются в электроприводе платформы BMW «Neue Klasse» шестого поколения. Речь идёт о SiC MOSFET для ключевых узлов силовой электроники, где важны КПД, запас по температуре и стабильная работа в жёстких автомобильных режимах.
По оценке производителя, интеграция SiC-ключей помогает оптимизировать запас хода, характеристики зарядки и общую энергоэффективность электромобиля. Компоненты рассчитаны на ответственные функции силового тракта и длительную эксплуатацию в составе серийной автомобильной силовой электроники.
Президент ROHM Semiconductor GmbH Вольфрам Харнак подчеркнул, что применение SiC MOSFET в Gen 6 BMW подтверждает компетенции компании в автомобильной силовой электронике и долгосрочную поддержку автопроизводителей. Сообщение опубликовано 17 сентября 2026 года и согласуется с официальным релизом ROHM.
Для разработчиков инверторов и закупочных подразделений это ещё один сигнал, что дискретные и модульные SiC-решения закрепляются в массовых тяговых архитектурах. При выборе элементной базы стоит заранее оценивать корпус, тепловой интерфейс, класс напряжения и требования к квалификации AEC.
Для подбора силовых ключей на SiC и смежных приборов смотрите раздел «Полевые транзисторы FET/MOSFET» в каталоге ООО «Телеметрия».
