Renesas Electronics расширила портфель GaN-решений в низковольтный сегмент: представлены первые дискретные транзисторы на 100 В с обогащённым затвором (E-mode). Семейство RTP100E — это RTP100E005G1FL, RTP100E2P6G1FL, RTP100E1P8G1FL-DSC и RTP100E1P2G1FL-DSC: сверхбыстрое переключение и улучшенный отвод тепла для приложений с критичной энергоэффективностью и высокой плотностью мощности.
Целевые применения новинки — ИИ-дата-центры, серверные блоки питания, гуманоидная робототехника и промышленная автоматизация, где 48–100 В шины вытесняют кремниевые MOSFET. Ключевые цифры: RDS(on) от 1,2 до 5 мОм и корпус с низкой индуктивностью для параллельной работы — разработчикам это даёт рост КПД стадии DC-DC и снижение габаритов преобразователя.
Для закупщиков новость означает расширение выбора среди широкозонных полупроводников: GaN-FET на 100 В дополняют SiC-решения в среднем ценовом диапазоне и позволяют проектировать компактные DC-DC станции для периферийных AI-систем. Стоит заранее уточнять доступность корпусов и сроки поставок — спрос на низковольтный GaN растёт быстрее предложения.
Подбирая компоненты для новых проектов, сравнивайте параметры GaN и кремниевых MOSFET по току, RDS(on), пороговому заряду затвора и тепловому сопротивлению: переход на широкозонную технологию часто окупается уже на стадии охлаждения.
Для подбора GaN, SiC и кремниевых ключей смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET в каталоге ООО «Телеметрия».
