Navitas представила корпус UHV-TO-247-4-ISO для дискретных SiC MOSFET GeneSiC на 1200–3300 В. Решение рассчитано на силовую электронику с повышенными требованиями к изоляции, плотности мощности и тепловому отводу.
В корпус интегрирована подложка из нитрида алюминия, которая обеспечивает расстояние утечки более 12 мм и изоляцию свыше 6000 В. Для разработчиков источников питания, сетевой инфраструктуры и AI-дата-центров это может сократить число внешних изолирующих материалов и упростить компоновку высоковольтных узлов.
По данным компании, изолированная тепловая площадка совместима с reflow-монтажом и может устанавливаться напрямую на воздушный или жидкостный радиатор. Такой подход снижает тепловое сопротивление и помогает повысить рассеиваемую мощность в компактном форм-факторе TO-247.
Для российских инженерных команд новинка важна как индикатор развития дискретных SiC MOSFET вместо более дорогих модульных решений. При подборе аналогов стоит учитывать рабочее напряжение, изоляцию корпуса, тепловой путь, EMI-поведение и доступность драйверной обвязки.
Для проектирования силовых каскадов и проверки совместимости управляющих цепей смотрите раздел Драйверы MOSFET и IGBT в каталоге ООО «Телеметрия».
