Cambridge GaN Devices представила новое поколение 650-вольтовой GaN-микросхемы ICeGaN для автомобильной силовой электроники. Решение ориентировано на тяговые инверторы электромобилей, где снижение потерь переключения помогает повысить КПД силового каскада и увеличить запас хода без роста массы системы.
Для разработчиков EV-платформ важны не только паспортные параметры ключа, но и интеграция драйверов, защит и теплового режима в реальном инверторном узле. GaN power IC в таком формате может упростить переход от классических кремниевых MOSFET к более быстрым схемам, сохраняя контроль над EMC, надёжностью и температурными запасами.
Новость также показывает, что automotive power electronics всё активнее смещается к компактным высоковольтным решениям: производителям нужны меньшие инверторы, более плотная компоновка и стабильные поставки компонентов для серийных BOM. При закупке стоит заранее проверять доступность корпусов, требования AEC-квалификации и совместимость с существующими DC-link конденсаторами и драйверной частью.
Для российских инженерных команд тема GaN и 650-вольтовых силовых микросхем полезна при сравнении альтернатив для DC-DC, бортовых зарядных устройств и тяговых преобразователей. В проектах с импортозамещением важно фиксировать не только цену, но и жизненный цикл компонента, тепловой расчёт и возможность замены на близкие силовые модули.
Для подбора компонентной базы на складе и под заказ смотрите раздел Полупроводниковые модули в каталоге ООО «Телеметрия».
