TPC8067-H,LQ(S, Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TPC8067-H,LQ(S
МОП-транзистор N-Ch 30V FET 9A 1.9W 690pF
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
72
+
Бонус: 1.44 !
Бонусная программа
Итого: 72
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 30V FET 9A 1.9W 690pF
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокSOP-8
серияTPC8062-H
длина4.9 mm
pin count8
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
pd - рассеивание мощности1.9 W
количество каналов1 Channel
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusLTB
pcb changed8
standard package nameSOP
supplier packageSOP
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)1900
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle Quad Drain Triple Source
hts8541.29.00.95
package height1.52
package length4.9
package width3.9
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
конфигурацияSingle
channel typeN
materialSi
id - непрерывный ток утечки9 A
rds вкл - сопротивление сток-исток33 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)9
maximum drain source resistance (mohm)25@10V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source voltage (v)±20
typical fall time (ns)2.1
typical gate charge @ 10v (nc)9.5
typical gate charge @ vgs (nc)9.5@10V|4.7@5V
typical input capacitance @ vds (pf)690@10V
typical rise time (ns)2.1
militaryNo
Высота 1.68 мм
Ширина3.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль