BCP5616TA, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 2Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP5616TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BCP5616TA, Биполярный транзистор, NPN, 80 В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
23
+
Бонус: 0.46 !
Бонусная программа
Итого: 23
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 2Вт
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
КорпусSOT-223
automotiveNo
base product numberBCP5616 ->
collector-emitter breakdown voltage80V
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 2V
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition150MHz
hts8541.29.00.95
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250 at 150 mA at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 5 mA at 2 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@50mA@500mA
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current1A
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100@150mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V|25@5mA@2V
minimum operating temperature (°c)-65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package height1.55
package length06.05.2024
package width03.05.2024
packagingTape and Reel
партномер8002410621
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation2W
pd - рассеивание мощности2 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max2W
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)125 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBCP56
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки22:06:34
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль