SI2302CDS-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs SOT-23
Основные
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
23
+
Бонус: 0.46 !
Бонусная программа
Итого: 23
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs SOT-23
Основные
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокSOT-23-3
серияSI2
длина2.9 mm
время нарастания7 ns
время спада7 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности860 mW
другие названия товара №SI2302CDS-GE3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки2.9 A
qg - заряд затвора5.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток57 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток400 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.13 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения30 ns
типичное время задержки при включении8 ns
Высота 1.45 мм
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль