Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

Подробное описание

Основные
вес, г	4.6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

2 040 ₽

– +

Бонус: 40.8 !

Бонусная программа

Итого: 2 040 ₽

Купить

Основные
вес, г	4.6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	25
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	TO-3PN-3
время нарастания	230 ns
время спада	745 ns
коммерческое обозначение	MOSVII
pd - рассеивание мощности	410 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	70 A
qg - заряд затвора	160 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	27 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	105 ns
типичное время задержки при включении	155 ns

Отзывов нет

Кнопки