Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: TO247, АБ

Подробное описание

3 860 ₽

– +

Бонус: 77.2 !

Бонусная программа

Итого: 3 860 ₽

Купить

Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: TO247, АБ

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
configuration	Single
factory pack quantity	30
fall time	8 ns
id - continuous drain current	23 A
manufacturer	Cree, Inc.
maximum operating temperature	+150 C
minimum operating temperature	-55 C
mounting style	Through Hole
number of channels	1 Channel
package / case	TO-247-3
packaging	Tube
pd - power dissipation	97 W
product	Power MOSFET
product category	MOSFET
product type	MOSFET
qg - gate charge	17.3 nC
rds on - drain-source resistance	120 mOhms
rise time	10 ns
subcategory	MOSFETs
technology	SiC
transistor polarity	N-Channel
type	Silicon Carbide MOSFET
typical turn-off delay time	25 ns
typical turn-on delay time	27 ns
vds - drain-source breakdown voltage	900 V
вес, г	7.833
vgs th - gate-source threshold voltage	2.1 V

Отзывов нет

Кнопки

C3M0120090D