MJE18008G, Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE18008G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 2.041 |
| Высота | 15.75 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| длина | 10.53 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 14 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.1@0.2A@2A|1.25@0.9A@4.5A |
| maximum collector base voltage | 10 V dc |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.6@0.2A@2A|0.7@0.9A@4.5A |
| maximum collector emitter voltage | 450 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 450 |
| maximum dc collector current | 8 A |
| maximum dc collector current (a) | 8 |
| maximum emitter base voltage | 9 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 9 |
| maximum operating frequency | 1 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 125 W |
| maximum power dissipation (mw) | 125000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 13(Typ) |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 14@1A@5V|6@4.5A@1V|11@2A@1V|10@10mA@5V |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 9 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 1 kV |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 450 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| непрерывный коллекторный ток | 8 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package type | TO-220AB |
| packaging | Tube |
| партномер | 8001140590 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 125 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 13 MHz |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| серия | MJE18008 |
| standard package name | TO |
| supplier package | TO-220AB |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:47:06 |
| Ширина | 4.83 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
