TK5A60W,S4VX

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокTO-220FP-3
серияTK5A60W
длина10 mm
время нарастания18 ns
время спада7 ns
pd - рассеивание мощности30 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки5.4 A
qg - заряд затвора10.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток770 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.7 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения50 ns
типичное время задержки при включении40 ns
Высота 15 мм
Ширина4.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль