2DB1188R-13, Diodes Incorporated

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2DB1188R-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes 2DB1188R-13, Diodes Incorporated
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
29
+
Бонус: 0.58 !
Бонусная программа
Итого: 29
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина4.5 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.390
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)180
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.32 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер800 mV
партномер8017361769
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки2500
серия2DB11
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:03:35
Ширина2.48 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль