IRLD110PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,7А, 1,3Вт, DIP4
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRLD110PBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 100V N-CH HEXFET HEXDI
| Основные | |
| вес, г | 0.31 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | DIP-4 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| supplier device package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| время нарастания | 4.7 ns |
| время спада | 17 ns |
| pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | IRLD110 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| qg - заряд затвора | 6.1 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 540 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 1.3 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 16 ns |
| типичное время задержки при включении | 9.3 ns |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 1A (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 100V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 4V, 5V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 6.1nC @ 5V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 250pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 1.3W (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 540mOhm @ 600mA, 5V |
| vgs (max) | В±10V |
| vgs(th) (max) @ id | 2V @ 250ВµA |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
