TK20J60W,S1VE

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор МОП-транзисторы серии DTMOSIV МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV используют современный одинарный эпитаксиальный процесс, который обеспечивает снижение R DS (on) на 30%, что является показателем качества ( FOM) для полевых МОП-транзисторов, по сравнению со своим предшественником, DTMOSIII. Это уменьшение R DS (on) позволяет размещать микросхемы с более низким R DS (on) в одних и тех же корпусах. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размер источников питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подходят для использования с импульсными регуляторами.