STB55NF06LT4, N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB55NF06LT4
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:STB55NF06LT4
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Основные
mounting type
Поверхностный монтаж
тип корпуса
D2PAK (TO-263)
length
10.75мм
minimum operating temperature
-55 °C
width
10.4мм
pin count
3
maximum operating temperature
+175 °C
series
STripFET II
height
4.6мм
Вес и габариты
number of elements per chip
1
максимальное рассеяние мощности
95 Вт
channel type
N
transistor configuration
Одинарный
maximum drain source voltage
60 В
максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
maximum continuous drain current
55 А
maximum drain source resistance
20 мΩ
типичный заряд затвора при vgs
27 нКл при 4,5 В
channel mode
Поднятие
материал транзистора
Кремний
minimum gate threshold voltage
1V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26