FF450R12KE4EHOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, Common Emitter, 520 А, 1.75 В, 2.4 кВт,

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FF450R12KE4EHOSA1
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодуль IGBT Trench Field Stop 2 Независимый модуль для монтажа на шасси, 1200 В, 520 А, 2400 Вт
Основные
вес, г15
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C
32 060
+
Бонус: 641.2 !
Бонусная программа
Итого: 32 060
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодуль IGBT Trench Field Stop 2 Независимый модуль для монтажа на шасси, 1200 В, 520 А, 2400 Вт
Основные
вес, г15
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C
packageBulk
package / caseModule
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageModule
base product numberFF450R12 ->
configuration2 Independent
Вес и габариты
inputStandard
current - collector (ic) (max)520A
igbt typeTrench Field Stop
power - max2400W
vce(on) (max) @ vge, ic2.15V @ 15V, 450A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
current - collector cutoff (max)5mA
input capacitance (cies) @ vce28nF @ 25V
ntc thermistorNo
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль