Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Подробное описание

Основные
вес, г	4.43
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

2 410 ₽

– +

Бонус: 48.2 !

Бонусная программа

Итого: 2 410 ₽

Купить

Основные
вес, г	4.43
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	600
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	STW45N60DM6
время нарастания	5.3 ns
время спада	7.3 ns
коммерческое обозначение	MDmesh
pd - рассеивание мощности	210 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	30 A
qg - заряд затвора	44 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	99 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.25 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	50 ns
типичное время задержки при включении	15 ns

Отзывов нет

Кнопки