RN2318(TE85L,F), Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 47K x 10Kohms

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN2318(TE85L,F)
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN2318(TE85L,F), Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
84
+
Бонус: 1.68 !
Бонусная программа
Итого: 84
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
continuous collector current:-100 mA
dc collector/base gain hfe min:50
dc current gain hfe max:50
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Toshiba
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SC-70
партномер8021751175
pd - power dissipation:100 mW
peak dc collector current:100 mA
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
series:RN2318
subcategory:Transistors
transistor polarity:PNP
typical input resistor:47 kOhms
typical resistor ratio:04.07.2024
Время загрузки23:54:24
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль