MUN5214T1G, Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5214T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5214T1G, Транзистор
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.017
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
6
+
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзистор NPN 10кОм/47кОм
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.017
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
continuous collector current100 mA
dc collector/base gain hfe min80
dc current gain hfe max80
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSC-70-3
packagingCut Tape or Reel
партномер9000264902
pd - power dissipation202 mW
peak dc collector current100 mA
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
product typeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
seriesMUN5214
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
typical input resistor10 kOhms
typical resistor ratio0.21
Время загрузки0:26:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль