STW34N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 17,7А, 190Вт, TO247

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STW34N65M5
МОП-транзистор N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Основные
вес, г4.49
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
1 330
+
Бонус: 26.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Основные
вес, г4.49
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки600
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTW34N65M5
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247
коммерческое обозначениеMDmesh
seriesMDmeshв„ў V ->
pd - рассеивание мощности190 W
base product numberSTW34 ->
Вес и габариты
технологияSi
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки18.3 A
rds вкл - сопротивление сток-исток110 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
полярность транзистораN-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c28A (Tc)
drain to source voltage (vdss)650V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs62.5nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2700pF @ 100V
power dissipation (max)190W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs110mOhm @ 14A, 10V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль