ZXMC3AMCTA, Dual N/P-Channel MOSFET, 2.1 A, 3.7 A, 30 V, 8-Pin DFN Diodes Inc ZXMC3AMCTA
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:ZXMC3AMCTA
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
Вес и габариты
automotive
No
channel mode
Enhancement
channel type
N|P
configuration
Dual Dual Drain
eccn (us)
EAR99
eu rohs
Compliant
lead shape
No Lead
maximum continuous drain current (a)
2.9 N Channel|2.1 P Channel
maximum drain source resistance (mohm)
120 10V N Channel|210 10V P Channel
maximum drain source voltage (v)
30
maximum gate source voltage (v)
±20
maximum operating temperature (°c)
150
maximum power dissipation (mw)
2450
minimum operating temperature (°c)
-55
mounting
Surface Mount
number of elements per chip
2
packaging
Tape and Reel
part status
Active
pcb changed
8
pin count
8
ppap
No
product category
Power MOSFET
standard package name
DFN
supplier package
DFN EP
typical fall time (ns)
2.9 N Channel|7.5 P Channel
typical gate charge @ 10v (nc)
3.9 N Channel|6.4 P Channel
typical input capacitance @ vds (pf)
190 25V N Channel|206 15V P Channel
typical rise time (ns)
2.3 N Channel|2.8 P Channel
typical turn-off delay time (ns)
6.6 N Channel|11.3 P Channel
typical turn-on delay time (ns)
1.7 N Channel|1.5 P Channel
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26