STF11NM60ND, Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:STF11NM60ND
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
Основные
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
1000
тип продукта
MOSFET
торговая марка
STMicroelectronics
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-220-3
серия
STF11NM60ND
длина
10.4 mm
время нарастания
7 ns
время спада
9 ns
коммерческое обозначение
FDmesh
pd - рассеивание мощности
90 W
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
10 A
qg - заряд затвора
30 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
450 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
vgs - напряжение затвор-исток
25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
канальный режим
Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
7.5 S
полярность транзистора
N-Channel
тип транзистора
1 N-Channel
типичное время задержки выключения
50 ns
типичное время задержки при включении
16 ns
Высота
9.3 мм
Ширина
4.6 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26