FQPF9N90CT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки8 A
1 080
+
Бонус: 21.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 080
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки8 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности68 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток1.4 Ohms
серияFQPF9N90C
технологияSi
типичное время задержки при включении50 ns
типичное время задержки выключения100 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток900 V
вес, г2.27
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания120 ns
время спада75 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль